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DDR5 16Gb 现货价(美元)
5.86
▲ +2.4%
DDR4 8Gb 现货价(美元)
2.13
▲ +1.0%
NAND 512Gb Wafer(美元)
4.12
▼ -1.1%
512GB eSSD 合约价(美元)
38.50
▲ +3.6%
DRAM 现货价格指数(2025-10 至 2026-10,2025-10 = 100)
DRAM 现货价格指数走势
25/10
26/02
26/06
26/08
26/10
100
128.5 ▲
指数连涨 9 个月,当前处于周期上行段(示例数据)
晶圆代工稼动率追踪(Q3 2026)
厂商
主力节点
稼动率
环比
代工价格趋势
备注
台积电
3/5/7nm
满载
持平
高位坚挺
CoWoS 产能持续扩充
中芯国际
28/40/55nm
92%
+3pct
酝酿上调
55/40nm 满载
华虹半导体
55/90nm 及以上
95%
+4pct
已部分上调
功率/MCU 需求回暖
联电
22/28nm
85%
+2pct
企稳
22nm 互连新品爬坡
力积电
逻辑+DRAM 代工
82%
-1pct
承压
消费类订单偏弱
扩产项目动态
进入产能数据库 ›
存储扩产追踪
2026-10-24
三星平泽 P4
:新增 NAND 晶圆投入,月投片 +2 万片
2026-10-18
SK 海力士 M15X 二期
:设备搬入提前约一个季度
2026-09-30
美光
:ID 式封装厂动土,瞄准 HBM 封装产能
2026-09-12
长江存储
:233 层以上良率爬坡顺利,扩产按计划推进
代工扩产追踪
2026-10-20
中芯国际
:北京新厂进入装机阶段,聚焦 28–40nm
2026-10-08
华虹
:无锡三期设备招标完成,2027 年中风险量产
2026-09-26
台积电
:海外厂 2nm 评估推进,先进封装再扩产
2026-09-15
晶合集成
:40nm OLED 驱动平台验证通过